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半导体和电子产品

半导体和电子产品

诺贝尔奖进入半导体先驱

09 Oct 2000

今年的诺贝尔物理学奖已经授予本发明的半导体激光器,集成电路和其他高速电子设备的发明。在圣彼得堡,俄罗斯的F Ioffe Institute的Alferov和加州大学的Santa Barbara的赫伯特·克罗默接受了“用于开发高速和光电电子产品的半导体异性结构”的一半。另外一半进入德克萨斯乐器的杰克kil“对于他的集成电路的发明。”奖项价值900万瑞典克朗(关于£660 000)。诺贝尔基金会奖励今年的奖品获奖者,奠定了现代信息技术和通信系统的基础。

Kroemer和Alferov在半导体异质结构上分享了他们的工作–包含不同半导体的薄层的装置,通常基于砷化镓,堆叠在彼此顶部。 1957年,Kroemer,然后在普林斯顿的RCA公司工作,发布了异性结构晶体管的第一个提案。他的理论工作表明,与传统晶体管相比,异质结构装置可以提供卓越的性能。

1963年,Kroemer和Alferov独立提出了从异性结构装置构建半导体激光器的想法。 Alferov于1969年建立了来自砷化镓和铝砷铝的第一半导体激光器。半导体激光器现在用于广大应用。

在晶体管发明之后,仍然需要将电子电路的不同部分焊接在一起。在20世纪50年代初,与1990年死亡的已故罗伯特诺维斯一起,Jack Kilby是第一个意识到电路中不同组件的人可以集成在一块芯片上。 kilby.’工作已经支持整个信息技术行业。 Kilby还共同发明了袖珍计算器。

亚利奥洛夫 1930年出生于拜罗斯兴。1952年从列宁格勒的电工研究所毕业后,他继续在1970年从互义伊夫学院获取他的物理和数学博士学位。艾弗罗夫’S关于III-V半导体的研究已经跨越了过去的四十年,他收到了许多国家和国际奖项。他目前是俄罗斯科学院圣彼得堡科学中心总裁义夫研究所副总裁义夫研究所主任,以及物理研究所的研究员。

赫伯特克罗默 从G大学获得理论物理博士学位ö德国Ttingen,1952年。在RCA,Varian Associates和博尔多科罗拉多大学的法术之后,他于1976年搬到了圣巴巴拉。Kroemer’在全国和国际上,工作已经得到了奖励。他目前的研究侧重于超导体半导体器件。

杰克kilby. 从伊利诺伊州和威斯康星州大学获得电气工程的BS和MS学位。他于1947年加入了全球联盟公司的Centrallab部门,在那里他为电子设备开发了丝网电路。他于1958年搬到了德州仪器,在这里他在微芯片技术开展了他的开创性工作。 Kilby拥有超过60项美国专利,并获得了许多国际奖项,认识到他在消费电子产品领域的革命工作的影响。

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