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运输属性

运输属性

氮化铟弹簧惊喜

09 Dec 2003 IsabelleDumé.

英国和美国的研究人员发现,氮化铟可以在其表面上支撑大堆积的负电荷。只有一个其他半导体– indium arsenide –展示这个属性。该发现可以更容易地制造由金属和半导体制成的混合动力装置(我Mahboob 等等。 2003 物理。 rev. lett。 to be published)

几乎所有半导体都具有偏离电子的近表面区域。这意味着对半导体的任何金属触点往往具有高电阻,并且电子必须通过大肖特基屏障隧道隧道。这使得混合动力装置的制造困难。如果可以制造其表面上具有过量电子的半导体,则可以克服该问题。

最近,当研究人员发现其带隙为0.7-0.8eV时,氮化铟引起了注意力,而不是先前认为的1.8-2.1eV。这意味着氮化物铟的合金–如氮化铟镓–具有跨越近红外线到紫外线的整个可见光谱的带空隙。这种材料可用于各种光电子设备,例如发光二极管和太阳能电池。

Chris McConville及其同事在英国和康奈尔大学的美国和康奈尔大学使用高分辨率电子光谱和计算机造型分析了氮化铟的电子密度型材。他们研究了分子束外延已生长的样品,并且用氢气清洁其表面。研究人员发现了氮化铟表面上积累的电子层的明确证据,其结果表明金属半导体触点将具有低电阻和肖特基屏障。

氮化铟的潜在应用包括磁体电子器件和半导体超导体混合物,例如Josephse-结场效应晶体管。“当半导体的表面耗尽时,耦合到半导体的超导体是有问题的,”麦肯维尔说。该团队现在计划使用相同的技术研究氮化镓的电子性质。

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